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掩模版
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大规模集成电路(IC)应用
产品概述:
可提供多种尺寸和规格的IC行业专用光刻掩模版,制作精度覆盖0.13um,0.18um,0.25um,0.35um,0.5um及以上芯片工艺节点(node),最小图形制作高达0.5um,制作精度+/-0.03um, 同时,公司可提供专业的Pellicle Remount(重贴膜)服务,覆盖ASML,NIKON,CANNON等主流光刻机类型。

集成电路(IC)行业高精度光刻掩模版

 产品概述:

可提供多种尺寸和规格的IC行业专用光刻掩模版,制作精度覆盖0.13um,0.18um,0.25um,0.35um,0.5um及以上芯片工艺节点(node),最小图形制作高达0.5um,制作精度+/-0.03um,如下表:


Mask grade

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

Design rule

2.0

2.0

1.5

1

0.8

0.5

0.35

0.25

0.18

0.13

CD mean to target (um)

±0.3

±0.25

±0.2

±0.10

±0.10

±0.07

±0.05

±0.04

±0.03

±0.02

CD tolerance (um)

±0.3

±0.25

±0.2

±0.10

±0.10

±0.07

±0.05

±0.04

±0.03

±0.02

CD range (um)

0.25

0.20

0.15

0.15

0.12

0.1

0.06

0.04

0.05

0.02

Defect size (um)

2

1.5

1

0.8

0.75

0.5

0.35

0.25

0.28

0.20

 

同时,公司可提供专业的Pellicle Remount(重贴膜)服务,覆盖ASMLNIKONCANNON等主流光刻机类型。